[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号: | 201710389344.X | 申请日: | 2017-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN107170759B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
| 发明(设计)人: | 邢磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L29/423;H01L21/77 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,该阵列基板中开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管包括有源层、平坦化栅绝缘层和栅极,有源层均设置于基底上,开关薄膜晶体管的有源层的厚度大于驱动薄膜晶体管的有源层的厚度;开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管共用平坦化栅绝缘层,设置于有源层和裸露的基底上;开关薄膜晶体管的栅极和驱动薄膜晶体管的栅极设置于平坦化栅绝缘层上。本发明工艺简单,可以提高阵列基板的制作效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括耦合连接的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管均包括有源层、平坦化栅绝缘层和栅极,其中,所述开关薄膜晶体管的有源层和所述驱动薄膜晶体管的有源层均设置于基底上,并且所述开关薄膜晶体管的有源层的厚度大于所述驱动薄膜晶体管的有源层的厚度;所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管共用平坦化栅绝缘层,所述平坦化栅绝缘层设置于所述开关薄膜晶体管的有源层、所述驱动薄膜晶体管的有源层和裸露的基底上;所述开关薄膜晶体管的栅极对应其有源层设置于所述平坦化栅绝缘层上,所述驱动薄膜晶体管的栅极对应其有源层设置于所述平坦化栅绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





