[发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201710388630.4 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107331749B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 高艳龙;秦双娇;马磊;尹灵峰;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层；铺设第一层光刻胶，并对第一层光刻胶进行曝光和显影，形成第一图形的光刻胶；利用第一图形的光刻胶形成凹槽；去除第一图形的光刻胶；形成钝化层；铺设第二层光刻胶，并对第二层光刻胶进行曝光和第一次显影，形成第二图形的光刻胶，第二层光刻胶为负性光刻胶；利用第二图形的光刻胶形成第一通孔和第二通孔；对第二层光刻胶进行第二次显影，形成第三图形的光刻胶；利用第三图形的光刻胶增大第一通孔的容积；铺设电极材料；去除第二层光刻胶，形成设置P型电极和N型电极。本发明可提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层；在P型半导体层上铺设第一层光刻胶，并对所述第一层光刻胶进行曝光和显影，形成第一图形的光刻胶；去除没有所述第一图形的光刻胶覆盖的所述透明导电层、所述P型半导体层和所述有源层，形成从所述透明导电层延伸至所述N型半导体层的凹槽；去除所述第一图形的光刻胶；在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述凹槽内的所述N型半导体层上形成钝化层；在所述钝化层上铺设第二层光刻胶，并对所述第二层光刻胶进行曝光和第一次显影，形成第二图形的光刻胶，所述第二层光刻胶为负性光刻胶；去除没有所述第二图形的光刻胶覆盖的所述钝化层和所述透明导电层，形成从所述钝化层延伸至所述P型半导体层的第一通孔和从所述钝化层延伸至所述N型半导体层的第二通孔；对所述第二层光刻胶进行第二次显影，形成第三图形的光刻胶；去除没有所述第三图形的光刻胶覆盖的所述钝化层，增大所述第一通孔的容积，使所述钝化层内的所述第一通孔尺寸大于所述透明导电层内的所述第一通孔尺寸，以露出所述透明导电层；在所述第二层光刻胶、所述第一通孔内的P型半导体层和所述第二通孔内的N型半导体层上铺设电极材料；去除所述第二层光刻胶和所述第二层光刻胶上的电极材料，形成设置在所述P型半导体层上的P型电极和设置在所述N型半导体层上的N型电极，其中所述P型电极位于所述第一通孔内，且所述P型电极的边缘沉积在所述透明导电层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710388630.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石英砂干燥除尘装置
- 下一篇：一种Micro LED显示器件的制备方法
