[发明专利]一种湿法腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料的保护技术在审
| 申请号： | 201710387527.8 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107235470A | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 韩建强;尹伊君;韩东 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种湿法腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料的保护技术，腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料采用氮化硅薄膜保护。氮化硅薄膜采用平板型等离子体化学气相沉积(PECVD)设备淀积。淀积温度350～420℃，13.56MHz射频电源的功率在10‑30W之间。采用氨气和硅烷作为反应气体，氨气流量在3‑10sccm之间，硅烷和氨气的流量比在1.3～2.6之间。利用上述工艺参数淀积的氮化硅薄具有针孔密度和缺陷少的优点，可以光刻并刻蚀后在双面或正面湿法腐蚀过程中保护芯片正面的特定区域的金属及多晶硅材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 腐蚀 过程 芯片 正面 金属 多晶 材料 保护 技术 | ||
【主权项】：
一种湿法腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料的保护技术，其特征在于：腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料采用氮化硅薄膜保护，氮化硅薄膜采用平板型等离子体化学气相沉积(PECVD)设备淀积，淀积温度350～420℃，13.56MHz射频电源的功率在10‑30W之间。采用氨气和硅烷作为反应气体，氨气流量在3‑10sccm之间，硅烷和氨气的流量比在1.3～2.6之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量大学，未经中国计量大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710387527.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
