[发明专利]电致单光子源器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710381686.7 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107275452A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 马奔;倪海桥;尚向军;陈泽升;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种电致单光子源器件及其制备方法，其中制备方法包括步骤1、在一衬底的上表面依次形成电流限制层和砷化镓层；步骤2、在步骤1形成的器件的上表面中心位置形成作为电流注入区的凸台；在步骤1形成的器件的上表面除了凸台所在区域的其他区域腐蚀去除砷化镓层，并露出电流限制层；步骤3、待步骤2中露出的电流限制层氧化后，在步骤2形成的器件的上表面二次外延形成p型掺杂分布式布拉格反射层，完成电致单光子源器件的制备。本发明通过二次外延的方法制备得到的电致单光子源器件，可以有效的缩小电致结构中注入电流的面积，从而可降低阈值电流，易于形成光的模式限制。 | ||
| 搜索关键词： | 电致单 光子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电致单光子源器件的制备方法，包括：步骤1、在一衬底的上表面依次形成电流限制层和砷化镓层；步骤2、在步骤1形成的器件的上表面中心位置形成作为电流注入区的凸台；在步骤1形成的器件的上表面除了凸台所在区域的其他区域腐蚀去除所述砷化镓层，并露出所述电流限制层；步骤3、待步骤2中露出的所述电流限制层氧化后，在步骤2形成的器件的上表面二次外延形成p型掺杂分布式布拉格反射层，完成所述电致单光子源器件的制备。
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