[发明专利]一种减少下电极损伤的腔体清洗方法在审
| 申请号： | 201710379434.0 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107393801A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 康斯坦丁·莫吉利尼科夫 | 申请（专利权）人： | 鲁汶仪器有限公司（比利时） |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司11511 | 代理人： | 袁伟东 |
| 地址： | 比利时鲁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种减少下电极损伤的腔体清洗方法，包括以下步骤保护下电极的牺牲层形成步骤，通过位于下电极附近的下部喷口通入反应气体，对下电极表面进行薄膜沉积，作为保护下电极表面的牺牲层；以及干法清洗步骤，通过腔体上部喷口通入反应气体对腔体进行等离子清洗。本发明通过引入薄膜沉积步骤，既避免了因下电极直接暴露于等离子环境而造成下电极损伤，从而延长了下电极的使用寿命，同时节约了晶圆消耗，提高了设备工作效率，有效地兼顾了下电极寿命和晶圆消耗及设备传输效率这两个方面的问题的解决。此外，通过改变进气方式，有效提高了薄膜沉积的可控性，使薄膜尽量沉积在下电极表面，进一步提高了设备工作效率、降低原材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 电极 损伤 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种减少下电极损伤的腔体清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：牺牲层形成步骤，通过位于下电极附近的下部喷口通入反应气体，对下电极表面进行薄膜沉积，作为保护下电极的牺牲层；以及干法清洗步骤，通过腔体上部喷口通入反应气体对腔体进行等离子清洗。
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