[发明专利]一种离子选择性的纳米通道膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710378197.6 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN108948387B 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 闻利平;张振;江雷 申请(专利权)人: 北京赛特超润界面科技有限公司
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L53/00
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;李彪
地址: 101320 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种离子选择性的纳米通道膜及其制备方法,所述纳米通道膜包括结合在一起两层膜,一层为嵌段共聚物1膜,另一层为嵌段共聚物2膜;所述纳米通道膜的厚度为亚微米级别,其具有规则的纳米级通道分布和高的孔隙率,通道直径在25纳米以下,并且两层膜有着不同的表面电荷分布。本发明的膜具有超高离子通量,超强离子选择性,该膜有着亚微米级别的厚度,表现出了很好的渗透能量转换性能。
搜索关键词: 一种 离子 选择性 纳米 通道 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种离子选择性的纳米通道膜,其特征在于,所述纳米通道膜包括结合在一起两层膜,一层为嵌段共聚物1膜,另一层为嵌段共聚物2膜;所述纳米通道膜的厚度为亚微米级别,具有规则的纳米级通道分布,纳米级通道的个数为1010/cm2级别,通道直径在25纳米以下,并且两层膜有着不同的表面电荷分布。
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