[发明专利]一种离子选择性的纳米通道膜及其制备方法有效
申请号: | 201710378197.6 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN108948387B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 闻利平;张振;江雷 | 申请(专利权)人: | 北京赛特超润界面科技有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L53/00 |
代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 陈琳琳;李彪 |
地址: | 101320 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种离子选择性的纳米通道膜及其制备方法,所述纳米通道膜包括结合在一起两层膜,一层为嵌段共聚物1膜,另一层为嵌段共聚物2膜;所述纳米通道膜的厚度为亚微米级别,其具有规则的纳米级通道分布和高的孔隙率,通道直径在25纳米以下,并且两层膜有着不同的表面电荷分布。本发明的膜具有超高离子通量,超强离子选择性,该膜有着亚微米级别的厚度,表现出了很好的渗透能量转换性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 选择性 纳米 通道 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种离子选择性的纳米通道膜,其特征在于,所述纳米通道膜包括结合在一起两层膜,一层为嵌段共聚物1膜,另一层为嵌段共聚物2膜;所述纳米通道膜的厚度为亚微米级别,具有规则的纳米级通道分布,纳米级通道的个数为1010/cm2级别,通道直径在25纳米以下,并且两层膜有着不同的表面电荷分布。
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