[发明专利]一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法在审
| 申请号： | 201710377563.6 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107244649A | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 高兴森;田国 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司44425 | 代理人： | 潘雯瑛 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法，其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜；S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板；S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理，得到待刻蚀样品；S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀；S5去除残留的单层PS小球掩模板，得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便，且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性，适合大面积制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一步 模板 法制 备有 序铁电 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜；S2：转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板；S3：将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理，得到待刻蚀样品；S4：将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀；S5：去除残留的单层PS小球掩模板，得到有序的铁电纳米点阵列。
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