[发明专利]一种双模湿度传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710375959.7 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107179337B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 吴翟;娄振花;李新建;田永涛;许婷婷;史志锋;徐俊敏;卜坤 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 34126 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 胡治中<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 450052 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维二硫化钼纳米薄膜与硅纳米线阵列构成的湿度传感器的制备及其湿度传感性能，该器件由硅片、硅纳米线阵列、二维二硫化钼纳米薄膜、金属电极一和金属电极二等五部分构成。本发明的二维二硫化钼纳米薄膜/硅纳米线阵列湿度传感器中二硫化钼薄膜和硅纳米线均具有非常高的比表面积和面积体积比，因此二硫化钼薄膜和硅纳米线表面均可以吸附水分子，从而使制作的湿度传感器对不同的湿度具有对高灵敏、快速响应、稳定的特性；同时此湿度传感器可以工作在正向电压下和负向电压下，因此具有双模工作模式。 | ||
| 搜索关键词： | 湿度传感器 硅纳米线阵列 二硫化钼 纳米薄膜 二维 二硫化钼薄膜 硅纳米线 金属电极 吸附水分子 传感性能 负向电压 工作模式 快速响应 正向电压 体积比 硅片 双模 制备 灵敏 制作 | ||
【主权项】：
1.基于二维二硫化钼纳米薄膜-硅纳米线阵列异质结湿度传感器的制备方法，所述湿度传感器，具有如下结构：在硅片衬底(1)上有一层通过刻蚀得到的硅纳米线阵列(2)，在硅纳米线阵列(2)顶部有二维二硫化钼纳米薄膜(3)，在二硫化钼纳米薄膜(3)上设有第一金属电极(4)，在硅片衬底(1)上有第二金属电极(5)；以第一金属电极(4)作为输出极，第二金属电极(5)作为另一输出极；其特征在于：制备方法如下：通过对n型或p型硅片刻蚀得到在硅片衬底(1)上的硅纳米线阵列(2)；将二硫化钼纳米薄膜(3)转移到硅纳米线阵列(2)表面；通过热蒸发或电子束镀膜方法在二硫化钼纳米薄膜表面制备第一金属电极(4)；在硅片衬底(1)上制备第二金属电极(5)；/n其中，二维二硫化钼纳米薄膜的转移到硅纳米线阵列上是通过如下步骤完成的：/n(1)将聚甲基丙烯酸甲酯溶在苯甲醚中，配成50毫克每毫升的溶液，在50℃～60℃下加热1～9小时，使聚甲基丙烯酸甲酯完全溶解；/n(2)将有二硫化钼纳米薄膜的二氧化硅衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；/n(3)将涂有聚甲基丙烯酸甲酯样品放入1摩尔每升的KOH溶液中，1～9小时后，把剥离下来的薄膜转移至去离子水中清洗，转移至所需硅片衬底上，烘干，并用丙酮、去离子水冲洗，晾干即可。/n
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