[发明专利]具有结构调节层的阻变式存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710372366.5 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108963071A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张磊;白雪冬;许智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变式存储器，包括：惰性下电极层、所述惰性下电极层之上的硫族化合物阻变层、所述硫族化合物阻变层之上的金属掺杂的硫族化合物调节层、以及所述金属掺杂的硫族化合物调节层之上的活性金属上电极层。本发明的阻变式存储器具有结构调节层，可以实现导电丝通段的局域化，从而大大提高阻变式存储器的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 硫族化合物 存储器 结构调节 金属掺杂 下电极层 调节层 阻变层 活性金属 导电丝 电极层 局域化 制备 | ||
【主权项】：
1.一种阻变式存储器，包括：惰性下电极层、所述惰性下电极层之上的硫族化合物阻变层、所述硫族化合物阻变层之上的金属掺杂的硫族化合物调节层、以及所述金属掺杂的硫族化合物调节层之上的活性金属上电极层。
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