[发明专利]基于GaN六棱锥阵列的LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710371893.4 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107316922B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 贾伟;仝广运;樊腾;李天保;余春燕;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，所述的一种LED外延结构，包括衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层以及在n型GaN层上的多孔SiNx层；还包括形成在多孔SiNx层孔洞处的n型GaN六棱锥阵列，以及位于六棱锥顶点处的量子点、六条棱上的量子线和在六个半极性（10‑11）晶面上的多量子阱层，最后是p型GaN填充层。GaN六棱锥与在其上不同位置处形成的量子点/线/阱层构成三维核壳结构。该结构发光面积大，光提取效率高，而且由于In含量的不同和极化效应等因素的影响，量子点/线/阱结构的发光波长也不同，可以通过合理的控制实现白光发射。GaN六棱锥阵列制备过程中无需图形化衬底，工艺流程简单，同时生长出的GaN晶体质量高，能有效提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 棱锥 阵列 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN六棱锥阵列的LED外延结构，其特征在于：包括衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层以及在所述n型GaN层上的多孔SiNx层；还包括形成在所述多孔SiNx层孔洞处的n型GaN六棱锥阵列，以及位于六棱锥顶点处的量子点、六棱锥的六条棱上的量子线和在六棱锥六个半极性（10‑11）晶面上的多量子阱层，最后是p型GaN填充层。
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