[发明专利]纳米线栅结构的制作方法在审
| 申请号: | 201710369879.0 | 申请日: | 2017-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN107170675A | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
| 发明(设计)人: | 李明辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/306 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种纳米线栅结构的制作方法,该方法先通过压印模具在热塑性基板上热压出交替的多个凹槽和多个凸起,再将金属薄膜制作在所述多个凹槽和多个凸起上,接着利用金属粘结胶材将所述凸起上的金属薄膜转移到线栅载体基板上,最后剥离热塑性基板,制得纳米线栅结构,相比于现有技术,整个过程无需光阻涂布、光阻残余层去除、以及金属刻蚀制程,避免了现有技术中刻蚀精度不佳、光阻残余层难以去除、以及金属刻蚀过程中的线栅结构塌陷的问题,能够简化纳米线栅结构的制作流程,缩短纳米线栅结构的制作时间,提升纳米线栅结构的制作效率和制程良率。 | ||
| 搜索关键词: | 纳米 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种纳米线栅结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供一热塑性基板(1)和一压印模具(2),利用压印模具(2)热压所述热塑性基板(1),使得所述热塑性基板(1)的表面形成交替排列的多个凹槽(11)和多个凸起(12);步骤S2、将所述热塑性基板(1)从压印模具(2)中脱离,在所述热塑性基板(1)形成有凹槽(11)和凸起(12)表面上沉积金属薄膜(3);步骤S3、提供一线栅载体基板(4),利用金属粘结胶材将所述凸起(12)上的金属薄膜(3)转移到线栅载体基板(4)上;步骤S4、剥离热塑性基板(1)及位于所述凹槽(11)内的金属薄膜(3),制得纳米线栅结构。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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