[发明专利]一种沟槽型MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710369652.6 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108962989B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 蒋正洋 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型MOS器件及其制造方法，其中，所述沟槽型MOS器件至少包括：第一导电类型重掺杂衬底及其上的第一导电类型轻掺杂外延层；间隔形成于所述第一导电类型轻掺杂外延层上部的多个第一导电类型源区及多个沟槽；形成于所述沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；形成于所述第一导电类型轻掺杂外延层上部的第二导电类型轻掺杂体区；形成于所述第二导电类型轻掺杂体区上的元胞区接触孔及覆盖所述元胞区沟槽内多晶硅栅的绝缘介质块；形成于位于所述元胞区的相邻两个第一导电类型源区之间的第二导电类型重掺杂体接触区；形成于所述元胞区接触孔内的金属源极。本发明在保证器件稳定性的同时，提升了器件密度、降低了导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型MOS器件，其特征在于，所述沟槽型MOS器件至少包括：第一导电类型重掺杂衬底，其中，所述第一导电类型重掺杂衬底的上方区域通过预先规划划分为元胞区和终端区；形成于所述第一导电类型重掺杂衬底上的第一导电类型轻掺杂外延层；间隔形成于所述第一导电类型轻掺杂外延层上部的多个第一导电类型源区以及对应并贯穿所述第一导电类型源区的多个沟槽，其中，所述沟槽包括元胞区沟槽和终端区沟槽；形成于所述沟槽的侧壁和底部表面的栅氧化层；形成于所述沟槽内的多晶硅栅；形成于所述第一导电类型轻掺杂外延层上部的第二导电类型轻掺杂体区，其中，所述第二导电类型轻掺杂体区的深度大于所述第一导电类型源区的深度，且小于所述沟槽的深度；形成于所述第二导电类型轻掺杂体区上的一元胞区接触孔以及覆盖所述元胞区沟槽内多晶硅栅的绝缘介质块，其中，所述绝缘介质块和所述多晶硅栅共同填充满所述元胞区沟槽，所述元胞区接触孔同时暴露位于所述元胞区内的第二导电类型轻掺杂体区、所有第一导电类型源区以及所有沟槽内的绝缘介质块；形成于位于所述元胞区的相邻两个第一导电类型源区之间的第二导电类型重掺杂体接触区；形成于所述元胞区接触孔内的金属源极，其中，所述金属源极同时覆盖位于所述元胞区内的第二导电类型轻掺杂体区、所有第一导电类型源区、所有沟槽内的绝缘介质块以及所有第二导电类型重掺杂体接触区。
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