[发明专利]元件芯片的制造方法

摘要

一种元件芯片的制造方法，不使生产性下降地抑制凸块的由等离子体所引起的劣化及损伤的同时对基板进行单片化。包括：准备工序，准备具备具有露出的凸块的第1面及第2面且具备由分割区域划分的多个元件区域的基板；凸块埋入工序，将至少凸块的头顶部埋入到粘合层；掩模形成工序，在第2面形成掩模；保持工序，使第1面与由框架支承的保持带对置来使基板保持于保持带；载置工序，在掩模形成工序和保持工序之后，将基板经由保持带载置到设置在等离子体处理装置内的载置台；单片化工序，在载置工序之后，对分割区域从第2面到第1面进行等离子体蚀刻，从基板形成多个元件芯片；和凸块露出工序，在单片化工序之后，剥离粘合层，使凸块重新露出。

主权项

一种元件芯片的制造方法，包括：准备工序，准备基板，所述基板具备具有露出的凸块的第1面以及所述第1面的相反一侧的第2面，并且具备由分割区域划分的多个元件区域；凸块埋入工序，将至少所述凸块的头顶部埋入到粘合层；掩模形成工序，在所述第2面形成被覆所述元件区域并且使所述分割区域露出的掩模；保持工序，使所述第1面与由框架支承的保持带对置，来使所述基板保持于所述保持带；载置工序，在所述掩模形成工序以及所述保持工序之后，将所述基板隔着所述保持带载置到设置在等离子体处理装置内的载置台；单片化工序，在所述载置工序之后，对所述分割区域从所述第2面到所述第1面进行等离子体蚀刻，从所述基板形成多个元件芯片；和凸块露出工序，在所述单片化工序之后，剥离所述粘合层，使所述凸块重新露出。