[发明专利]一种低电容双向TVS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种低电容双向TVS器件，TVS器件为双向对称结构，包括反向并联的两个低电容二极管，两个低电容二极管均与TVS二极管串联；本发明还提供一种低电容双向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步骤：衬底材料准备、衬底氧化、P+型埋层区光刻、P+型埋层区硼离子注入及推结、外延生长、外延层氧化、隔离区光刻、磷离子注入及推结、N‑基区光刻、磷离子注入及推结、N基区光刻、磷离子注入及推结、P型基区光刻、硼离子注入及推结、P+注入区光刻、硼离子注入及推结、N+注入区光刻、磷离子注入及推结、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、减薄、背面金属化。本发明满足通讯设备的高频率工作要求，不会因为寄生电容过大而导致传输信号失真。

主权项

1.一种低电容双向TVS器件，其特征在于：TVS器件为双向对称结构，包括反向并联的两个低电容二极管D，两个低电容二极管D均与TVS二极管T串联；TVS器件包括N+型半导体衬底(1)和设于N+型半导体衬底(1)上侧的P‑型外延层(3)，N+型半导体衬底(1)与P‑型外延层(3)之间设有P+型埋层(2)；所述P‑型外延层(3)内两侧设有N+型隔离区(4)，且N+隔离区(4)延伸至N+型半导体衬底(1)；所述P‑型外延层(3)内侧中间依次分布有第一N型基区(5a)、第一N‑型基区(6a)、第二N型基区(5b)、第二N‑型基区(6b)；所述第一N型基区(5a)、第二N型基区(5b)内部设有两个N+型注入区(8)，其中一个N+型注入区(8)外覆有P型基区(9)；所述第一N‑型基区(6a)、第二N‑型基区(6b)内部设有P+型注入区(7)和N+型注入区(8)；所述N+型半导体衬底(1)和P‑型外延层(3)表面均覆有金属层，N+型半导体衬底(1)通过金属层与金属电极T2相连，P‑型外延层(3)通过金属层与金属电极T1相连；所述低电容二极管包括第一N‑型基区6a和P+型注入区7、第二N‑型基区6b和P+型注入区7，所述TVS二极管包括第一N型基区5a和N+型注入区8、第二N型基区5b和N+型注入区8。