[发明专利]高压金属氧化物半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种高压金属氧化物半导体元件及其制造方法。该高压MOS元件，包含：第一导电型阱区、第二导电型本体区、栅极、多个第一导电型源区、第一导电型漏极、以及第二导电型本体连接区。其中多个第一导电型源区于宽度方向大致平行排列，且各邻近的两第一导电型源区之间于宽度方向不相邻接。第二导电型本体连接区大致沿着宽度方向延伸，而与至少二第一导电型源区重叠，使得第二导电型本体连接区包括至少第一区域与第二区域，其中第一区域与至少一第一导电型源区重叠，且第二区域与任何第一导电型源区不重叠，且于横向上，第二导电型本体连接区不与栅极邻接。

主权项

1.一种高压金属氧化物半导体元件，形成于一半导体基板，其中该半导体基板于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面，其特征在于，包含：一第一导电型阱区，形成于该半导体基板中，且于该纵向上，位于该上表面下方并连接于该上表面；一第二导电型本体区，形成于该第一导电型阱区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并连接于该上表面；一栅极，形成于该上表面上，于该纵向上，部分该栅极堆叠并连接于部分该第二导电型本体区的正上方；多个第一导电型源区，形成于该第二导电型本体区中，其中各该第一导电型源区于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，且于一横向上邻接于该栅极，其中该多个第一导电型源区于一宽度方向大致平行排列且各邻近的两该第一导电型源区的间于该宽度方向不相邻接；一第一导电型漏极，形成于该第一导电型阱区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，且于该横向上，与该第一导电型源区由该第二导电型本体区以及该第一导电型阱区隔开；以及一第二导电型本体连接区，形成于该第二导电型本体区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，且该第二导电型本体连接区大致上沿着该宽度方向上延伸，而与至少二该第一导电型源区重叠，使得该第二导电型本体连接区包括至少一第一区域与一第二区域，其中该第一区域与至少一该第一导电型源区重叠，且该第二区域与任何该第一导电型源区不重叠，且于该宽度方向上，该第二区域连接于该第一区域，且于该横向上，该第二导电型本体连接区不与该栅极邻接。