[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710350094.9 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108962986B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李勇;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述装置包括：衬底；在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片；在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极结构，包括：在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极电介质层；和在所述第一栅极电介质层上的第一栅极；以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述第一鳍片中的第一源区和第一漏区；其中，所述第一栅极电介质层与所述第一漏区邻接的部分为第一区，所述第一栅极电介质层与所述第一源区邻接的部分为第二区，所述第一栅极电介质层位于所述第一区和所述第二区之间的部分为第三区，所述第一区的厚度大于所述第三区的厚度。本申请可以减小器件的GIDL。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片；在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极结构，包括：在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极电介质层；和在所述第一栅极电介质层上的第一栅极；以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述第一鳍片中的第一源区和第一漏区；其中，所述第一栅极电介质层与所述第一漏区邻接的部分为第一区，所述第一栅极电介质层与所述第一源区邻接的部分为第二区，所述第一栅极电介质层位于所述第一区和所述第二区之间的部分为第三区，所述第一区的厚度大于所述第三区的厚度。
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