[发明专利]化学机械抛光浆料、化学机械抛光的方法及半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 201710348017.X | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107443241A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 黄书豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/11 | 分类号： | B24B37/11;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种化学机械抛光CMP浆料、一种用于CMP的方法及一种半导体结构的制造方法。所述CMP浆料包含用于在所述CMP浆料中提供碱性环境的pH值调节剂及用于降低硅的移除率的硅抑制剂。所述CMP浆料用于平坦化操作中以移除半导体区域的部分及硅区域的部分。所述半导体区域包括与硅不同的至少一半导体材料。所述半导体区域形成在与所述硅区域相邻的凹槽中。可通过施加所述碱性CMP浆料而改进粒子缺陷条件，且可使用所述硅抑制剂来修改所述平坦化操作中的所述半导体区域与所述硅区域之间的移除率选择比率。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 浆料 方法 半导体 结构 制造 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光CMP浆料，其包括：pH值调节剂，其经配置以在所述CMP浆料中提供碱性环境；及硅抑制剂。
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