[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201710343776.7 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN106941121B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 文亮 | 申请（专利权）人： | 厦门天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王刚;龚敏<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 361101 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，一方面，该薄膜晶体管包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的栅极、漏极、源极和有源层，所述有源层包括沟道区域和位于所述沟道区域相对两侧的第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域分别电连接于对应的所述源极和所述漏极，所述第一区域和所述第二区域均为氧化物半导体。本发明实施例的技术方案通过在沟道区域和源漏极之间设有氧化物半导体区域，利用氧化物半导体对光照和温度的稳定性，有效改善了TFT器件漏电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的栅极、漏极、源极和有源层，其特征在于，所述有源层包括沟道区域和位于所述沟道区域相对两侧的第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域分别电连接于对应的所述源极和所述漏极，所述第一区域和所述第二区域均为氧化物半导体；/n所述氧化物半导体的方阻小于13kΩ/□。/n
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