[发明专利]一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管有效
| 申请号： | 201710343018.5 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107195746B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张雄;杨刚;代倩;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王安琪 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、n型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化物层、p型氮化物欧姆接触层，所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的p型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合构成。本发明的有益效果为：可以有效地阻挡电子穿过有源区进入p型区，又可以增大空穴穿过电子阻挡层注入有源区的效率；可利用较简单的生长方式和较少的层结构就能达到很好的电子阻挡效果，同时获得明显高于传统电子阻挡层结构的空穴注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 共振 结构 电子 阻挡 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，其特征在于，包括：由下而上依次设置的衬底(101)、n型氮化物层(102)、多量子阱层(103)、电子阻挡层(104)、p型氮化物层(105)、p型氮化物欧姆接触层(106)，所述n型氮化物层上设置的n型电极(107)和所述p型氮化物层上设置的p型电极(108)；其中电子阻挡层(104)由由下而上依次设置的p型掺杂氮化物势垒层(1041)，非掺杂氮化物势阱层(1042)、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层(1043)联合构成；所述的共振隧穿结构电子阻挡层(104)中非掺杂氮化物势阱层(1042)的禁带宽度小于p型掺杂氮化物势垒层(1041)、非掺杂势垒层(1043)和多量子阱层(103)中势垒层的禁带宽度，而p型掺杂氮化物势垒层(1041)与非掺杂势垒层(1043)的禁带宽度均大于多量子阱层(103)中势垒层的禁带宽度。
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