[发明专利]背面抛光PERC电池的制备方法在审
| 申请号： | 201710342253.0 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107123702A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 赵保星;赵增超;周子游;刘文峰 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 周长清,黄丽 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背面抛光PERC电池的制备方法，包括以下步骤(1)在硅片背面沉积单面保护膜；(2)将镀有单面保护膜的硅片进行制绒，在制绒后的酸洗过程中去除硅片上的单面保护膜；(3)将单面制绒的硅片进行扩散；(4)进行常规二次清洗；(5)背面沉积氧化铝/氮化硅叠层钝化膜，然后激光开槽，经丝网印刷和烧结，得到背面抛光PERC电池。本发明的方法量产门槛低、运营成本低，可实现微纳尺度上的平整性，从而大幅提升电池光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 抛光 perc 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背面抛光PERC电池的制备方法，包括以下步骤：(1)在硅片背面沉积一层保护膜，得到镀有单面保护膜的硅片；(2)将步骤(1)所得镀有单面保护膜的硅片进行制绒，在制绒后的酸洗过程中去除硅片上的单面保护膜，得到单面制绒的硅片；(3)将步骤(2)所得单面制绒的硅片进行扩散；(4)将步骤(3)所得扩散后的硅片进行常规二次清洗；(5)在步骤(4)所得二次清洗后的硅片背面沉积氧化铝/氮化硅叠层钝化膜，然后对叠层钝化膜进行激光开槽，经丝网印刷和烧结，得到背面抛光PERC电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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