[发明专利]一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台有效
申请号: | 201710334592.4 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN106929828B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 李文君;周霖;程云;冯真;李春霞;单李军;邓德荣;黎明;杨兴繁 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 詹永斌;沈强 |
地址: | 621000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台,属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上,其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台,用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布,提高所制备的金刚石膜的均匀性,同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 微波 等离子体 化学 沉积 法制 金刚石 基片台 | ||
【主权项】:
一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台,其特征在于包括用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于环形外凸出部外侧的外表面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的