[发明专利]一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台有效

专利信息
申请号: 201710334592.4 申请日: 2017-05-12
公开(公告)号: CN106929828B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 李文君;周霖;程云;冯真;李春霞;单李军;邓德荣;黎明;杨兴繁 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 詹永斌;沈强
地址: 621000 四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台,属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上,其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台,用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布,提高所制备的金刚石膜的均匀性,同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。
搜索关键词: 一种 用于 微波 等离子体 化学 沉积 法制 金刚石 基片台
【主权项】:
一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台,其特征在于包括用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于环形外凸出部外侧的外表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院应用电子学研究所,未经中国工程物理研究院应用电子学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710334592.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top