[发明专利]位于晶体管栅极上方的气隙以及相关方法有效
| 申请号： | 201710333396.5 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107424968B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | Z-X·贺;马克·D·贾菲;兰迪·L·沃夫;亚文·J·乔瑟夫;布莱特·T·古奇;安东尼·K·史塔佩尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及位于晶体管栅极上方的气隙以及相关方法，其中，一种半导体装置可包括：位于装置层中的晶体管栅极；位于该装置层上方的互连层；以及延伸穿过该互连层以接触该晶体管栅极的上表面的气隙。该气隙提供机制以降低使用绝缘体上半导体衬底的应用例如射频开关的导通电阻及关态电容。 | ||
| 搜索关键词： | 位于 晶体管 栅极 上方 以及 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：晶体管栅极，位于装置层中；互连层，位于该装置层上方；以及气隙，延伸穿过该晶体管栅极上方的该互连层。
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