[发明专利]一种刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201710327662.3 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108878286B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张君 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀工艺，包括以下步骤：在衬底上形成掩膜材料层；采用构图工艺将所述掩膜材料层划分为多个掩膜微单元，每个所述掩膜微单元的高度小于其底部宽度；执行主刻蚀步骤，直至衬底刻蚀形成的每个衬底微单元的侧壁和位于其上的所述掩膜微单元的侧壁之间的夹角大于140°且小于180°；执行过刻蚀步骤，修饰刻蚀形貌。本发明提供的刻蚀工艺，可以在刻蚀高度满足要求的基础上，同时能够满足刻蚀形貌要求；而且，还可以减少掩膜材料的用量，从而降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀工艺，用于刻蚀图形化衬底，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成掩膜材料层；采用构图工艺将所述掩膜材料层划分为多个掩膜微单元，每个所述掩膜微单元的高度小于其底部宽度；执行主刻蚀步骤，直至衬底刻蚀形成的每个衬底微单元的侧壁和位于其上的所述掩膜微单元的侧壁之间的夹角大于140°且小于180°；执行过刻蚀步骤，修饰刻蚀形貌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
