[发明专利]自支撑超薄柔性高性能有机薄膜场效应晶体管及其制备方法有效
申请号: | 201710316823.9 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN108878649B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 赵晓丽;汤庆鑫;刘益春;童艳红;任航 | 申请(专利权)人: | 东北师范大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;刘鑫鑫 |
地址: | 130024 吉林省长*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了自支撑超薄柔性高性能有机薄膜场效应晶体管及其制备方法。该有机薄膜场效应晶体管的制备方法,包括如下步骤:1)对衬底表面进行羟基化处理,之后在表面上连接十八烷基三氯硅烷;2)在经过步骤1)处理的衬底表面制备金属栅电极或导电聚合物栅电极;3)在步骤2)金属栅电极或导电聚合物栅电极的表面制备聚合物绝缘层;4)在步骤3)聚合物绝缘层的表面制备有机半导体层;5)在步骤4)有机半导体层的表面制备金属源电极和金属漏电极;6)用胶带粘贴步骤5)除衬底外的器件的四周,将器件从衬底上剥离下来。本发明采用干法剥离得到了无衬底的器件结构,可在室温环境下操作,剥离过程简单迅速,不会对器件结构造成腐蚀破坏影响性能。 | ||
搜索关键词: | 支撑 超薄 柔性 性能 有机 薄膜 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法,包括如下步骤:(1)对衬底表面进行羟基化处理,之后在表面上连接十八烷基三氯硅烷;(2)在经过步骤(1)处理的衬底表面制备金属栅电极或导电聚合物栅电极;(3)在步骤(2)得到的金属栅电极或导电聚合物栅电极的表面制备聚合物绝缘层;(4)在步骤(3)得到的聚合物绝缘层的表面制备有机半导体层;(5)在步骤(4)得到的有机半导体层的表面制备金属源电极和金属漏电极;(6)用胶带粘贴步骤(5)得到的除衬底外的器件的四周,将所述除衬底外的器件从所述衬底上剥离下来,即可得到所述有机薄膜场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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