[发明专利]一种晶粒取向一致的对接接头电迁移测试方法

摘要

一种晶粒取向一致的对接接头电迁移测试方法，属于材料制备与连接领域。将两个焊盘之间采用钎料焊膏重熔焊接成钎料接头，钎料对接接头采用环氧树脂粘附于基板上，钎料接头至少有一个侧面表面作为钎料对接接头截面，选取在PLM下呈现单一晶粒取向的钎焊对接接头；对接单晶接头进行线切割，进行精抛，获取EBSD数据，确定钎焊对接接头晶粒c轴与电流方向的夹角，借助环氧树脂钎料接头粘附于基板上，进行相关的测试。在单晶焊点晶粒c轴与电流方向夹角一致的前提下获得具备可比性的焊点可靠性评价。

主权项

1.一种晶粒取向一致的对接接头电迁移测试方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、去除焊盘表面的氧化物和有机污染物，在基板上粘附双面胶，并将两个焊盘置于基板上，保证两焊盘的焊接面平行，并有一定的间距，以保证焊缝尺寸和宽度一致性，焊接面垂直基板；(2)、将选用的钎料焊膏涂敷于两个焊盘的焊接面之间，进行重熔，然后冷却，得到相应的钎料对接接头；将钎料对接接头连同基板一起置于丙酮溶液中，以将钎料对接接头从基板上取下，得到具有一定晶粒取向的重熔制备的钎焊对接接头，不经镶嵌，直接研磨，以去除多余钎料，并对钎焊对接接头的可作为截面的表面进行抛光；(3)、通过正交偏振光学显微镜(Polarized light microscopy,PLM)观察抛光了的钎焊对接接头表面截面，区分不同晶体取向的β‑Sn晶粒，选取在PLM下呈现单一晶粒取向的钎焊对接接头；(4)、将通过PLM观察所得的钎料对接单晶接头进行线切割，得到与步骤(2)重熔制备的钎焊对接接头具有相同晶粒取向的多个微型钎焊对接接头，对得到的微型钎焊对接接头进行精抛，获取电子背散射衍射(Electron Backscattered Diffraction,EBSD)数据，确定钎焊对接接头晶粒c轴与电流方向的夹角；(5)、借助环氧树脂将步骤(4)进行线切割得到的钎料接头粘附于基板上，并进行指定截面的研磨抛光，最终得到可用于进行电迁移测试的钎焊对接接头，并进行焊点横截面和俯视方向IMCs演变行为分析；(6)、进行电迁移测试相关的可靠性测试，在钎焊对接接头晶粒取向一致的基础上，得到具备可比性的焊点电迁移可靠性数据；钎料焊膏为Sn基的二元合金、三元合金或四元合金。