[发明专利]一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710312918.3 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107146761B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 金立川;洪彩云;张怀武;杨青慧;钟智勇;饶毅恒;李颉;廖宇龙 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 夏艳 |
| 地址： | 610054 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质薄膜及其制备方法，该方法，包括采用液相外延在[111]晶向的钆镓石榴石(GGG)上生长的高质量单晶钇铁石榴石(YIG)作为基片，以及所述的YIG基片上利用分子束外延(MBE)技术生长很薄的一层铋得到钇铁石榴石/铋异质薄膜。该方法简单可行的，所制得的钇铁石榴石/铋异质薄膜相对于无铋薄膜的钇铁石榴石(YIG)的磁光克尔转角显著增大；本发明相比在YIG中铋的置换掺杂，制备工艺简单，为异质结型磁光材料的制备与研究提供了一种新的方法，在光通信、磁光存储等众多领域有广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁光效应 铁石 铋异质 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质薄膜，其特征在于，包括采用液相外延在[111]晶向的钆镓石榴石上生长的高质量单晶钇铁石榴石作为基片，以及所述的YIG基片上利用分子束外延技术生长很薄的一层铋得到钇铁石榴石/铋异质薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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