[发明专利]基于横向多沟道结构的PiN二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于横向多沟道结构的PiN二极管及其制备方法。其中，制备方法包括：选取衬底材料；刻蚀衬底分别形成多层沟槽的第一沟槽区和第二沟槽区；在第一沟槽区淀积P型Si形成P区；在第二沟槽区淀积N型Si形成N区；光刻引线以完成PiN二极管的制备。本发明通过在SOI衬底上制备多层有源区沟道，利用高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子浓度达到均匀，从而提高了横向多沟道结构的PiN二极管的功率密度，增强了PiN二极管的固态等离子体特性。

主权项

1.一种基于横向多沟道结构的PiN二极管的制备方法，其特征在于，包括：/n(a)选取衬底材料；/n(b)刻蚀所述衬底分别形成多层沟槽的第一沟槽区和第二沟槽区；步骤(b)/n包括：/n(b1)利用CVD工艺，在所述衬底表面淀积SiN层；/n(b2)利用光刻工艺，在所述SiN层表面分别形成第一沟槽区图形和第二沟槽区图形；/n(b3)利用干法刻蚀工艺刻蚀所述SiN层及所述衬底中的顶层Si层，以形成所述第一沟槽区和所述第二沟槽区，其中，所述第一沟槽区和所述第二沟槽区位于所述SiN层和所述顶层Si层构成的材料的两侧，所述第一沟槽区和所述第二沟槽区均为三层沟槽结构，且三层沟槽从上至下深度依次增加，使所述SiN层和所述顶层Si层构成的材料两侧边缘呈阶梯下降状；/n(c)在所述第一沟槽区淀积P型Si形成P区；/n(d)在所述第二沟槽区淀积N型Si形成N区；/n(e)光刻引线以完成所述PiN二极管的制备，步骤(e)包括：/n(e1)利用CVD工艺，在包括所述衬底、所述P区和所述N区的整个衬底表面生长保护层；/n(e2)利用退火工艺激活所述P区和所述N区中的杂质；/n(e3)在所述P区和所述N区对应的保护层上分别光刻引线孔，在引线孔溅射金属，合金化形成金属Si化物，刻蚀掉表面的金属；在整个材料表面溅射金属，光刻引线，并将引线连接；/n(e4)钝化处理并光刻PAD以完成所述PiN二极管的制备。/n