[发明专利]一种MEMS芯片及制备方法在审

专利信息
申请号: 201710301081.2 申请日: 2017-05-02
公开(公告)号: CN107089640A 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 王德信;方华斌 申请(专利权)人: 歌尔股份有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B7/04;B81C1/00;G01L9/12;G01N27/12
代理公司: 北京市隆安律师事务所11323 代理人: 权鲜枝,吴昊
地址: 261031 山东省潍*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种MEMS芯片及制备方法。MEMS芯片集成了共用衬底的气压传感部和气体传感部,气压传感部包括下电极、支撑部和上电极,气体传感部包括测量电极和敏感材料膜;下电极和测量电极互不接触地设置在衬底的上端面上,上电极通过支撑部支撑在所述下电极上,下电极、支撑部和上电极形成用于测量气压的平板电容传感器;测量电极上设置裸露在外的敏感材料膜,测量电极和敏感材料膜形成用于测量气体种类和浓度的电阻传感器。本发明通过在共用衬底的同一侧端面设置平板电容传感器和电阻传感器,使得可以在同一芯片上制备平板电容传感器和电阻传感器,从而减小MEMS芯片的尺寸,方便该MEMS芯片上的两个传感器共用一个ASIC芯片,便于封装和应用。
搜索关键词: 一种 mems 芯片 制备 方法
【主权项】:
一种MEMS芯片,其特征在于,集成了气压传感部和气体传感部,所述气压传感部和所述气体传感部共用衬底(1),所述气压传感部包括下电极(3)、支撑部(4)和对气压敏感的上电极(5),所述气体传感部包括测量电极(12)和对气体敏感的敏感材料膜(13);所述下电极(3)和所述测量电极(12)互不接触地设置在所述衬底(1)的上端面上,所述上电极(5)通过支撑部(4)支撑在所述下电极(3)上,所述下电极(3)、支撑部(4)和上电极(5)形成用于测量气压的平板电容传感器;所述测量电极(12)上设置裸露在外的所述敏感材料膜(13),所述测量电极(12)和敏感材料膜(13)形成用于测量气体种类和浓度的电阻传感器。
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