[发明专利]一种忆阻器的制备方法在审
| 申请号： | 201710291749.X | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106953009A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 孙柏;张欣;赵勇;张勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L45/02;G11C13/00 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种忆阻器的制备方法，涉及存储器制造技术领域。它能有效地解决半导体材料的负面影响的问题。包括步骤一、收集足够的干枯树叶；步骤二、将步骤一收集到的树叶通过分离法获取超细的树叶粉末，备用；步骤三、将步骤二得到的超细树叶粉末溶解在乙基纤维素溶液中，制备成胶体；步骤四、用掺杂氟的二氧化锡透明导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤三得到的胶体在基片导电的一面旋涂成薄膜作为介电层；步骤五、将步骤四中得到的带介电层的基片，在60℃的干澡箱里干燥12小时以上；步骤六、将步骤五中干燥之后的基片放入真空沉积设备；步骤七、通过真空沉积法将基片上介电层的表面沉积金属银做上电极，得到具有银/树叶/FTO结构的忆阻器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种忆阻器件的制备方法，包括以下步骤：步骤一、收集足够的干枯树叶；步骤二、将步骤一收集到的树叶通过分离法获取超细的树叶粉末，备用；步骤三、将步骤二得到的超细树叶粉末溶解在乙基纤维素溶液中，制备成胶体；步骤四、用掺杂氟的二氧化锡透明导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤三得到的胶体在基片导电的一面旋涂成薄膜作为介电层；步骤五、将步骤四中得到的带介电层的基片，在60℃的干澡箱里干燥12小时以上；步骤六、将步骤五中干燥之后的基片放入真空沉积设备；步骤七、通过真空沉积法将基片上介电层的表面沉积金属银做上电极，得到具有银/树叶/FTO结构的忆阻器件。
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