[发明专利]具有由掺杂半导体材料制成的互连的堆叠图像传感器在审
申请号: | 201710289719.5 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN108133943A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | F·罗伊 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 一种图像传感器包括第一半导体衬底,该第一半导体衬底支撑光电二极管以及转移晶体管的源极区。该第一半导体衬底上的第一互连级包括在该第一半导体衬底上的互连电介质层以及在该互连电介质层上方的互连线路层。支撑读出晶体管的第二半导体衬底安装在该第一半导体衬底和该第一互连级上方。该第一互连级进一步包括与该第一半导体衬底中的该源极区物理接触且电接触的第一掺杂半导体材料电连接,该第一掺杂半导体材料电连接穿过该互连电介质层和这些互连线路层以便电连接至这些读出晶体管中的至少一个晶体管。 | ||
搜索关键词: | 半导体 衬底 掺杂半导体材料 互连电介质层 电连接 互连级 读出晶体管 互连线路 源极区 堆叠图像传感器 光电二极管 图像传感器 转移晶体管 衬底支撑 物理接触 电接触 晶体管 互连 穿过 支撑 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:第一半导体衬底,所述第一半导体衬底包括光电二极管以及转移晶体管的源极区;第一互连级,所述第一互连级在所述第一半导体衬底上,所述第一互连级包括:在所述第一半导体衬底上的互连电介质层以及在所述互连电介质层上方的多个互连线路层;以及第二半导体衬底,所述第二半导体衬底支撑多个读出晶体管,所述第二半导体衬底安装在所述第一半导体衬底和所述第一互连级上方;其中,所述第一互连级进一步包括与所述第一半导体衬底中的所述源极区物理接触且电接触的第一掺杂半导体材料电连接,所述第一掺杂半导体材料电连接穿过所述互连电介质层和所述多个互连线路层以便电连接至所述多个读出晶体管中的至少一个晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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