[发明专利]倒装高压LED芯片的制备方法

摘要

本发明涉及LED芯片工艺领域，公开了一种倒装高压LED芯片的制备方法，包括在外延层上进行刻蚀形成隔离沟槽和N电极沟槽以形成Mesa平台，在Mesa平台上生长欧姆接触层并在其上形成反射层，深刻蚀隔离沟槽形成隔离道，形成第一隔离层并在其上形成第一P导电通道和第一N导电通道，制作连接层，制作第二隔离层并在其上形成第二P导电通道和第二N导电通道，制作焊接用的P焊垫和N焊垫，制作chip。本发明可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极焊垫遮光，降低驱动电压及提高光强；减少电压转换时的能量损失，缓解电流积聚，便于光学设计；在同样光通量的情况下，比正装芯片的光效约高20％—30％左右。

主权项

一种倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供具有n个芯片单元区域A1、A2······An的透光衬底(1001)，一个所述倒装高压LED芯片A由m个所述芯片单元区域A1、A2······Am首尾串联而成，其中，n≥2，2≤m≤n；S2：在所述透光衬底(1001)上生长外延层；S3：在各所述芯片单元区域上同时刻蚀出隔离沟槽(1002)和N电极沟槽(1003)以形成Mesa平台(1004)；S4：在各所述Mesa平台(1004)的上表面形成欧姆接触层(1005)；S5：在各所述欧姆接触层(1005)上表面形成反射层(1006)；S6：刻蚀所述隔离沟槽(1002)至其底部暴露所述透光衬底(1001)的上表面以形成隔离道(1007)；S7：在所述反射层(1006)、所述隔离道(1007)和所述N电极沟槽(1003)上形成第一隔离层(1008)；S8：图形化所述第一隔离层(1008)，以在每个所述N电极沟槽(1003)正上方形成第一N导电通道(1009)、在每个所述Mesa平台(1004)正上方形成第一P导电通道(1010)；S9：制作能够分别将各所述A中的A1、A2······Am首尾串联的连接层(1011)；S10：在所述连接层(1011)和所述第一隔离层(1008)上形成第二隔离层(1012)；S11：图形化所述第二隔离层(1012)以在各所述A中A1的第一P导电通道(1010)正上方形成第二P导电通道(1013)、在各所述A中Am的第一N导电通道(1009)正上方形成第二N导电通道(1014)；S12：制作分别覆盖各所述第二P导电通道(1013)和各所述第二N导电通道(1014)的P焊垫(1015)和N焊垫(1016)；S13：将各所述A制作成chip。