[发明专利]一种测量纳米尺度材料/结构中的电子输运性能的电极系统有效
申请号: | 201710273249.3 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107144744B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 杨鹏;吴治涌;万艳芬;尹航;马谡 | 申请(专利权)人: | 云南大学 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R1/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650091 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明涉及一种测量纳米尺度材料/结构中的电子输运性能电极系统。从下到上依次包括:绝缘衬底材料SiO2/Si以及在SiO2上制备的具有精细结构的叉指电极阵列。当材料尺寸减小到纳米量级时,其电学性能发生了巨大的变化,传统的欧姆定律不再适用。为了更加详细地研究纳米尺度下通过材料的电荷运动规律,亟待发明出一种新型的测量纳米尺度材料及结构中电子输运性能的微纳电极系统。本发明主要利用复式嵌套的方式,在传统叉指电极上精确制备出可控的三角形金属电极,通过改变三角形电极的水平距离调控测试电极尖端之间的垂直距离,使测试距离精确控制在纳米尺度,再将纳米尺度的被测样品置于测试电极之间,测量其电子输运性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 测量 纳米 尺度 材料 结构 中的 电子 输运 性能 电极 系统 | ||
【主权项】:
1.一种测量纳米尺度材料/结构中的电子输运性能的电极系统,包括基底和测试电极两部分,其特征在于:测试电极在正方形SiO2/Si基底上制备,基底尺寸为3.5×3.5mm2;测试电极由正方形金属电极D1、金属连接线D2、长条状电极D3、叉指电极D4和三角形金属电极D5组成;在基底四周均匀分布20个0.5×0.5mm2的正方形金属电极D1,金属电极D1厚度为50nm,相邻两个正方形金属电极D1间距为100μm,该正方形金属电极用于连接测试电极与外部设备;正方形金属电极D1均延伸出一条金属连接线D2,金属连接线D2的另一端与长条状电极D3连接,长条状电极D3上均匀分布有一列长度和宽度均匀的长方形电极D4,相邻两个长条状电极D3上所分布的长方形电极D4相互交错构成一列叉指电极对,共10对;相邻一对叉指电极上均匀分布的三角形金属电极D5相互交错;在每对叉指电极对中,长方形电极D4的相向侧上均匀分布有15个三角形金属电极D5,三角形金属电极的底边长为500nm,高为250nm。
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