[发明专利]金属纳米线定向生长方法在审
| 申请号： | 201710272808.9 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107052361A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 刘启明;杨三军 | 申请（专利权）人： | 武汉大学深圳研究院 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广东德而赛律师事务所44322 | 代理人： | 叶秀进 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区科*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属纳米线定向生长方法，在室温室压下将可以置换出Ag的金属或金属氧化物作为还原剂，在AgNO3溶液中将Ag+还原在弯曲的衬底上，在衬底上生成平行有序定向Ag纳米线阵列；将负载有Ag纳米线的衬底用去离子水清洗后在真空箱内干燥。本发明是在弯曲的衬底上直接生长定向有序的Ag纳米线阵列及其网状阵列的方法，此方法操作简单、制备过程在室温下完成，不需要高温高压，不产生有毒物质。需要的材料简单，不需要对生长基底进行预处理。可以简单有效控制生长Ag纳米线方向、密度、分布等。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 纳米 定向 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种金属纳米线定向生长方法，其特征在于：S1在室温室压下将可以置换出Ag的金属或金属氧化物作为还原剂，在AgNO3溶液中将Ag+还原在弯曲的衬底上，在衬底上生成平行有序定向Ag纳米线阵列；S2将负载有Ag纳米线的衬底用去离子水清洗后在真空箱内干燥。
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