[发明专利]肖特基半导体装置在审
| 申请号： | 201710268697.4 | 申请日： | 2017-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108735822A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/812;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明肖特基半导体装置，在漂移区中设置MIS结构或反型区，形成外接第二电极，通过独立外接电极引入电势，以此调节肖特基势垒结反向偏压下电场，降低肖特基势垒结反向漏电流；对于第二电极，肖特基势垒结正向偏压下，对外接电势不作要求，可以为浮空，可以外接电势，可以保持外接电势为固定值即是保持肖特基势垒结反偏状态下电势大小。本发明肖特基半导体装置通过上述自身多个串连或者与PN结肖特基结整流器件串连，可以实现串连结构的低势垒高反向阻断特性的整流器件。 | ||
| 搜索关键词： | 电势 肖特基势垒结 半导体装置 肖特基 外接 第二电极 整流器件 串连 反向漏电流 电场 串连结构 反向偏压 反向阻断 外接电极 肖特基结 正向偏压 低势垒 反型区 漂移区 反偏 浮空 引入 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底区，为高浓度掺杂第一导电半导体材料，衬底区引出第三电极；漂移区，为第一导电半导体材料，连接衬底区；绝缘层，位于漂移区表面，绝缘层表面设置多晶硅，多晶硅引出第二电极；肖特基势垒结，位于漂移区表面，肖特基势垒结表面引出第一电极；肖特基势垒结的第三电极和第一电极上接反向偏压下，当第三电极电势大于第一电极电势时，第二电极电势设置小于第一电极电势，当第三电极电势大于第一电极电势时，第二电极电势设置大于第一电极电势。
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