[发明专利]基于氧化镓的结势垒肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710264497.1 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107026209A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;何启鸣;董航;刘琦;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/24;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于氧化镓的结势垒肖特基二极管及其制备方法，包括衬底，由氧化镓材料制备；上漂移层，形成于衬底的上侧，由氧化镓材料制备；n型掺杂区，存在于上漂移层和下漂移层中；p‑n结势垒，形成于上漂移层中，包含n型掺杂区和p+离子掺杂区；下漂移层，形成于衬底的下侧，由氧化镓材料制备；肖特基接触电极，与上漂移层上表面的一部分相接触；氧化层，形成于上漂移层上表面，部分与肖特基接触电极的外侧相切；以及金属欧姆接触电极，与下漂移层下表面接触。通过在结势垒肖特基二极管上采用氧化镓材料，其较大的禁带宽度和较高的击穿场强适合用作大功率半导体器件，且制备工艺简单，成本较低，实现与现有半导体工艺的接驳。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 结势垒肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化镓的结势垒肖特基二极管，包括：衬底(100)，由氧化镓材料制备；上漂移层(201)，形成于衬底的上侧，由氧化镓材料制备；n型掺杂区(211)，经由所述上漂移层(201)的氧化镓材料进行n型离子轻掺杂后获得；p‑n结势垒(210)，形成于上漂移层(201)中，包含所述n型掺杂区(211)和p+离子掺杂区(212)，该p+离子掺杂区(212)是将p+离子注入所述n型掺杂区(211)而得到的；下漂移层(202)，形成于衬底的下侧，由氧化镓材料制备；n型掺杂区(221)，经由所述下漂移层(202)的氧化镓材料进行n型离子重掺杂后获得；肖特基接触电极(300)，与所述上漂移层(201)上表面的一部分相接触；氧化层(500)，形成于所述上漂移层(201)上表面，部分与肖特基接触电极(300)的外侧相切；以及金属欧姆接触电极(400)，与所述下漂移层(202)下表面接触。
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