[发明专利]具有均流保护的MOSFET并联驱动电路

摘要

本发明揭示了一种具有均流保护的MOSFET并联驱动电路，包括至少一个由一组MOSFET并联形成的并联电路及驱动一组所述MOSFET工作的驱动电路，还包括与每个并联电路匹配的电压采集电路和逻辑或比较电路，每个所述电压采集电路用于采集所述并联电路中的每个MOSFET对应的电压信号，并输送给对应的逻辑或比较电路，所述逻辑或比较电路判断N个电压信号中的一个超过其接收的参考电压时，所述逻辑或比较电路输出低电平断开对应的驱动电路的驱动信号输出。本发明设计精巧，电路简单，实现了MOSFET并联应用中对单个MOSFET的过流检测和保护，进而实现了MOSFET并联电路的整体保护，从系统保护和可靠性方面来说，进一步完善了MOSFET并联技术和应用，使对该并联技术的过流保护更加全面和系统。

主权项

具有均流保护的MOSFET并联驱动电路，包括至少一个由一组MOSFET并联形成的并联电路（1）及驱动一组所述MOSFET工作的驱动电路（2），其特征在于：还包括与每个并联电路（1）匹配的电压采集电路（3）和逻辑或比较电路（4），每个所述电压采集电路（3）用于采集所述并联电路（1）中的每个MOSFET对应的电压信号，并输送给对应的逻辑或比较电路（4），当所述逻辑或比较电路（4）判断N个电压信号中的一个超过其接收的参考电压时，所述逻辑或比较电路（4）输出低电平断开对应的驱动电路（1）的驱动信号输出。