[发明专利]一种极少产生焊料表面悬浮氧化物颗粒的共晶贴片方法有效
申请号: | 201710259761.2 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN106992127B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 李金龙;江凯;李双江 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/603 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及一种极少产生焊料表面悬浮氧化物颗粒的共晶贴片方法,针对高可靠封装领域中的共晶贴片过程中,需要对共晶贴片过程产生的焊料表面悬浮氧化物颗粒进行有效控制的场合。本发明通过一种简单有效的氮气流动方式,实现了小型半密封腔体的局部高纯氮气环境,基于高速流动的惰性气体保护下焊料表面氧化膜破裂融入内部理论,使焊料本身存在的自然氧化表面,及共晶贴片过程中产生的氧化物悬浮颗粒融入焊料内部,形成新的光亮圆润的焊料表面,在共晶贴片后的焊料表面极少产生悬浮氧化物颗粒,防止在封装腔体中形成可动颗粒而导致器件失效。该方法简单有效,无可燃性氢气的引入,工艺过程安全可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 产生 焊料 表面 悬浮 氧化物 颗粒 共晶贴片 方法 | ||
【主权项】:
一种极少产生焊料表面悬浮氧化物颗粒的共晶贴片方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(a)将小型半密闭共晶贴片装置中的加热板通电预热,温度达到200℃并稳定后,从小型半密闭腔体侧面氮气进气口通入氮气30秒,将管壳置于加热板上,盖上中心有边长为8~12mm正方形开孔的平板上盖,在管壳上放置焊料片,用共晶吸头抓取芯片按压于焊料片上,施加80g‑100g的压力使芯片底面通过焊料片与管壳紧密接触;(b)保持连续通入氮气,使加热板迅速升温至360℃±10℃,用共晶吸头携带芯片与焊料片施加在管壳水平横向和纵向的摩擦,共晶贴片结束后,直至加热板冷却至200℃以下,关闭氮气,共晶吸头离开芯片表面,共晶贴片过程完成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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