[发明专利]SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201710259323.6 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107366013B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 白井嵩幸 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈冠钦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供不含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，Si‑C溶液包含Si、Cr、Al和B，以Si、Cr、Al和B的合计量为基准，Al以10at％以上的量包含在Si‑C溶液中，以Si、Cr、Al和B的合计量为基准计，B以超过0.00at％、1.00at％以下的量包含在Si‑C溶液中。 | ||
| 搜索关键词： | sic 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，/n所述Si-C溶液包含Si、Cr、Al和B，/n以所述Si、Cr、Al和B的合计量为基准，所述Al以10at％以上的量包含在所述Si-C溶液中，/n以所述Si、Cr、Al和B的合计量为基准，所述B以超过0.00at％、1.00at％以下的量包含在所述Si-C溶液中。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710259323.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
