[发明专利]一种太赫兹波发射装置有效
| 申请号： | 201710259286.9 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108736296B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张凌;柳鹏;吴扬;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02;H01S3/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太赫兹波发射装置，其包括：一太赫兹波源，其用于激发太赫兹波；以及一置于该太赫兹波源的出射面一侧的调制装置，该太赫兹波源激发的太赫兹波经该调制装置调制后形成太赫兹调制波并发射出去；其中，所述调制装置包括一碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 太赫兹波 太赫兹波源 调制装置 发射装置 碳纳米管结构 碳纳米管 同一方向 出射面 调制波 激发 调制 发射 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹波发射装置，其包括：/n一太赫兹波源，其用于激发太赫兹波；以及/n一置于该太赫兹波源的出射面一侧的调制装置，该太赫兹波源激发的太赫兹波经该调制装置调制后形成太赫兹调制波并发射出去；/n所述调制装置包括一碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管，该碳纳米管结构的太赫兹波穿透率随着波数或波长呈波峰波谷交替形状，其特征在于，所述多个碳纳米管的表面包覆有金属导电层；在远红外波段，包覆金属导电层的碳纳米管结构比纯碳纳米管结构的波峰波谷交替现象增强，且包覆金属导电层的碳纳米管结构的穿透率在低波数范围有上升趋势；在中红外波段，包覆金属导电层的碳纳米管结构比纯碳纳米管结构的穿透率下降，但是包覆金属导电层的碳纳米管结构的波峰波谷交替现象却比纯碳纳米管结构增强。/n
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