[发明专利]纳米线GaN高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201710258506.6 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN106981506B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李国强;刘智崑;李媛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/778;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米线GaN高电子迁移率晶体管，由下至上依次包括衬底、GaN薄膜、AlGaN纳米线、绝缘层薄膜；所述AlGaN纳米线的上方设有源极和漏极；所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。本发明利用纳米线具有超强韧性的物理性质，达到抑制高压下材料内部产生缺陷的效果；利用纳米线中位错容易移动到表面而湮灭的原理，从而实现在高压工作时的自修复的效果，是一种能够避免或大幅度延迟器件在高电压工作时产生的不可逆失效现象的有效结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
纳米线GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、GaN薄膜、AlGaN纳米线、绝缘层薄膜；所述AlGaN纳米线的上方设有源极和漏极；所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。
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