[发明专利]混气结构、工艺腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201710257153.8 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108728820B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王福来 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/40;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种混气结构，用于向腔室提供气体，包括多路进气管路和至少一路出气管路，所述多路进气管路一一对应与多个气源相连，所述出气管路和所述腔室的气体入口相连，还包括混合腔，所述混合腔具有气体混合空间，所述混合腔分别与所述进气管路和所述出气管路相连，用以使所述多个气源的气体在所述气体混合空间内混合后再经过所述出气管路输出至所述腔室的气体入口。本发明还提供一种工艺腔室及半导体加工设备。该混气结构、工艺腔室及半导体加工设备，可以使气体混合得比较均匀，而且不会堵塞管路。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 工艺 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种混气结构，用于向腔室提供气体，包括多路进气管路和至少一路出气管路，所述多路进气管路一一对应的与多个气源相连，所述出气管路和所述腔室的气体入口相连，其特征在于，还包括混合腔，所述混合腔具有气体混合空间，所述混合腔分别与所述进气管路和所述出气管路相连，用以使所述多个气源的气体在所述气体混合空间内混合后再经过所述出气管路输出至所述腔室的气体入口。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
