[发明专利]一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，属于半导体制备技术领域。本发明采用了具有式I结构的Ge源和具有式Ⅱ结构的Te源，将其应用在热原子层沉积技术(T‑ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的GeTe沉积层。并且，采用本发明中的方法制得的沉积态GeTe合金薄膜的电阻更高即纯度更高。本发明制得的GeTe合金薄膜的电阻在1.4～4*10⁵Ω·cm，薄膜的均方根粗糙度在0.7nm。

主权项

1.一种热原子沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Ge源进行沉积，得到沉积有Ge源的衬底，所述Ge源包括具有式I所示结构的化合物；B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Ge源进行还原得到中间物质；C)以脉冲的形式向反应腔中通入气相Te源，与沉积在衬底上的中间物质进行反应得到GeTe合金薄膜的衬底；其中所述Ge源为具有式I所示结构的化合物；其中R¹表示氢原子、C₁～C₆烷基、C₂～C₅链烯，R²，R⁵表示氢原子、C₁～C₆烷基、C₂～C₅链烯基、C₆～C₁₀芳基或‑Si(R₆)₃，R³，R⁴表示‑Si(R₆)₃，其中R₆为C₁～C₆烷基；R¹，R²，R⁵相同或相异，R³，R⁴相同或相异。