[发明专利]一种再生ZrCo基氢同位素贮存材料的方法有效

专利信息
申请号: 201710251317.6 申请日: 2017-04-18
公开(公告)号: CN107298429B 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 寇化秦;黄志勇;唐涛;桑革;何晖;刘梦佳 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院材料研究所
主分类号: C01B3/00 分类号: C01B3/00
代理公司: 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 代理人: 王育信
地址: 621700 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种再生ZrCo基氢同位素贮存材料的方法,即将待再生的ZrCo基氢同位素贮存材料置于温度为T、氢气压力为P的条件下处理10 min~300 min,即再生完成,所述T、P的关系为P(bar)<0.005×T(℃)-2.71。本发明方法克服了现有ZrCo基氢同位素贮存材料不能在较高温度下使用,且发生歧化反应后ZrCo基氢同位素贮存材料再生工艺复杂、氢同位素回收困难、再生成本高的不足,具有方法简单、再生效果显著且再生成本较低的优势。
搜索关键词: 一种 再生 zrco 氢同位素 贮存 材料 方法
【主权项】:
1.一种再生ZrCo基氢同位素贮存材料的方法,其特征在于,将待再生的ZrCo基氢同位素贮存材料置于温度为T、氢气压力为P的条件下处理10min~300min,即再生完成;所述T、P的关系为P<0.005×T-2.71,其中,T的单位为℃,P的单位为bar;所述ZrCo基氢同位素贮存材料为ZrCo基合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院材料研究所,未经中国工程物理研究院材料研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710251317.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top