[发明专利]一种基于可变表面方阻的可调谐超材料结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710249581.6 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107037505B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 苟君;梁恺;牛青辰;王军;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 王正楠 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于可变表面方阻的可调谐超材料结构及其制备方法，用于红外及太赫兹波段的调制器与探测器等领域。本发明中可调谐超材料结构的制备方法为：首先制备顶层为图形化的金属薄膜的三层超材料结构，然后采用氧等离子体轰击超材料结构，调控顶层金属薄膜表面方阻，实现可调谐超材料结构。氧等离子体轰击前，通过介质薄膜部分覆盖顶层金属薄膜，可实现对部分顶层金属薄膜的选择性方阻调控，从而对超材料的谐振峰频率等进行调制。该可调谐超材料结构具有制备工艺与调谐方式简单，与MEMS工艺兼容，在红外及太赫兹波段调制效果明显，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 可变 表面 调谐 材料 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于可变表面方阻的可调谐超材料结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备衬底(10)；S2：在衬底上制备金属薄膜底层(20)；S3：在金属薄膜底层上制备中间介质层(30)；S4：在中间介质层(30)上制备金属薄膜顶层，并将金属薄膜顶层图形化得到三层超材料结构；S5：用氧等离子体对图形化的金属薄膜顶层(40)的全部或部分进行轰击以调控金属薄膜顶层的方阻，最后得到可调谐超材料结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710249581.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
