[发明专利]接触孔的制造方法

摘要

本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤步骤一、形成刻蚀阻挡层。步骤二、形成层间膜。步骤三、光刻定义出接触孔的形成区域。步骤四、以刻蚀阻挡层为终止层进行第一次接触孔刻蚀。步骤五、进行第二次接触孔刻蚀将接触孔的形成区域的刻蚀阻挡层全部去除并形成接触孔，通过设置刻蚀阻挡层使硅衬底的过刻蚀量完全由刻蚀阻挡层的厚度决定，从而减少硅衬底的过刻蚀量。步骤六、沉积钛和氮化钛层并进行金属硅化反应。步骤七、在接触孔中完全填充金属层。本发明能减少接触孔刻蚀过程中因过刻对硅衬底造成的损伤，降低工艺波动并减少由此产生的漏电，提高产品的良率。

主权项

一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底表面形成刻蚀阻挡层；所述硅衬底表面形成有需要在顶部形成接触孔的掺杂区域；步骤二、在所述刻蚀阻挡层的表面形成层间膜；步骤三、采用光刻工艺定义出所述接触孔的形成区域；步骤四、进行第一次接触孔刻蚀，所述第一次接触孔刻蚀是以所述刻蚀阻挡层为终止层对所述层间膜进行刻蚀且将所述接触孔的形成区域的所述层间膜全部去除；步骤五、进行第二次接触孔刻蚀，所述第二次接触孔刻蚀将所述接触孔的形成区域的所述刻蚀阻挡层全部去除并形成所述接触孔，为了保证所述刻蚀阻挡层全部被去除所述第二次接触孔刻蚀会对所述硅衬底进行过刻蚀，所述刻蚀阻挡层的厚度小于所述层间膜的厚度，通过设置所述刻蚀阻挡层使所述硅衬底的过刻蚀量完全由所述刻蚀阻挡层的厚度决定且小于由所述层间膜的厚度所决定的所述硅衬底的过刻蚀量，所述刻蚀阻挡层的厚度越薄所述硅衬底的过刻蚀量越小；步骤六、沉积钛和氮化钛层，所述钛和氮化钛层形成于所述接触孔的底部表面和侧面，进行金属硅化反应在所述接触孔的底部表面形成钛硅化物，所述硅衬底的过刻蚀量减少后，所述钛硅化物对所述接触孔的底部的横向侵蚀减少；步骤七、在所述接触孔中完全填充金属层。