[发明专利]基于基片集成波导馈电的高增益低剖面环形天线在审

专利信息
申请号: 201710247909.0 申请日: 2017-04-17
公开(公告)号: CN107134636A 公开(公告)日: 2017-09-05
发明(设计)人: 张立;翁子彬;杜若楠;崔超奕;卢亮;焦永昌 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q7/00;H01Q13/10;H01Q15/14
代理公司: 陕西电子工业专利中心61205 代理人: 王品华,朱红星
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于基片集成波导馈电的高增益低剖面环形天线,用于解决现有机载雷达系统中,环天线剖面过高不易与载体共形的问题。其包括辐射单元(1)、上介质板(2)、下介质板(5)、上金属层(6)和下金属层(7);辐射单元设置在上介质板的上表面,上金属层和下金属层分别设置在下介质板的上下表面,其中辐射单元采用对称的双环结构;在上金属层上开有矩形缝隙(4),在下介质板上设置有金属化通孔阵列(3)和过渡结构(8);该金属化通孔阵列贯穿于上金属层、下介质板和下金属层之间,并与它们共同构成基片集成波导馈电结构。本发明具有低剖面和高增益的优点,可工作在X波段,用于机载平台下的雷达系统。
搜索关键词: 基于 集成 波导 馈电 增益 剖面 环形 天线
【主权项】:
一种基于基片集成波导馈电的高增益低剖面环形天线,包括辐射单元(1)、上介质板(2)、下介质板(5)、上金属层(6)和下金属层(7);其中辐射单元(1)位于上介质板(2)的上表面上,上金属层(6)和下金属层(7)分别位于下介质板(5)的上下表面上,其特征在于:辐射单元(1)采用对称的双环结构;上金属层(6)上设置有矩形缝隙(4),下介质板(5)上设置有金属化通孔阵列(3)和过渡结构(8);该金属化通孔阵列(3)贯穿于上金属层(6)、下介质板(5)和下金属层(7)之间,并与它们共同构成基片集成波导馈电结构。
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