[发明专利]一种开关控制电路

摘要

本发明公开了一种开关控制电路，它包括2组开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5），用于根据施加到所述开关晶体管的控制端的控制信号来控制开关控制电路的操作；包括电源输出调整电路U8，用于产生控制信号；包括2组N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6），该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）所加持的电压大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号。本发明开关控制电路具有低待机功耗、无需辅助电源绕组、工作噪音小和短路保护的特点。本发明电压安全可靠性高，本发明成本低，能满足国内外市场对低成本高质量的断信号开关电路的需求。

主权项

1.一种开关控制电路，其特征在于，包括：2组开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管(U3、U5)，用于根据施加到所述开关晶体管的控制端的控制信号来控制开关控制电路的操作；电源输出调整电路U8，用于产生控制信号；2组N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管(U4、U6)，该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管(U4、U6)根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管(U3、U5)所加持的电压大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号；所述开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管(U3、U5)包括第一开关电源晶体管(U3)、第二开关电源晶体管(U5)，所述N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管(U4、U6)包括第一N沟道晶体管(U4)、第二N沟道晶体管(U6)；所述第一开关晶体管(U3)的第一源极同时电连接开关器JP1，并与第一栅极之间电连接有电阻R28，所述第一栅极与电阻R28之间的线路中节点上电连接有电阻R29，所述电阻R29的另一端电连接于NPN型晶体管Q2的集电极，所述NPN型晶体管Q2的发射极接地，其基极电连接电阻R31，所述电阻R31的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA0连接端；所述第一开关晶体管(U3)的第一源极还电连接有电阻R30，该电阻R30的另一端连接第一N沟道晶体管(U4)的第二栅极、NPN型晶体管Q3的集电极、电阻R33，电阻R33另一端接地，所述NPN型晶体管Q3的发射极接地，其基极端连接电源输出调整电路U8的PA1连接端；所述第一N沟道晶体管(U4)的漏极与第一开关晶体管(U3)的漏极相连接，连接后与一电感器L1连接，电感器L1的另一端连接开关器JP3；所述第一N沟道晶体管(U4)的第二源极接地；所述开关器JP1还连接第二开关电源晶体管(U5)，所述第二开关电源晶体管(U5)的第三源极连接在一起，连接后与第三栅极之间电连接有电阻R37，所述电阻R37与第三栅极之间的节点上电连接有电阻R36，所述电阻R36的另一端电连接NPN型晶体管Q5的集电极，所述NPN型晶体管Q5的发射极接地，其基极电连接电阻R43，电阻R43的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA2连接端；所述第二开关电源晶体管(U5)的第三源极还连接电阻R38，所述电阻R38的另一端连接第二N沟道晶体管(U6)的第四栅极、电阻R41、NPN型晶体管Q4的集电极，所述电阻R41的另一端接地，所述NPN型晶体管Q4的发射极接地，其基极电连接电阻R42，电阻R42的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA3连接端；所述第二N沟道晶体管(U6)的第四源极互相连接，连接后接地，所述第二N沟道晶体管(U6)的漏极与第二开关电源晶体管(U5)的漏极电连接，连接后与开关器JP3的负极连接；所述电感器L1与第一N沟道晶体管(U4)之间的线路节点上连接有电阻R34，所述电阻R34的另一端电连接电阻R35、电源输出调整电路U8的PB3/PWM2连接端上，所述电阻R35的另一端接地；所述JP3的负极端还电连接有电阻R39，电阻R39的另一端电连接电阻R40、电源输出调整电路U8的PA4/Vref连接端上；所述JP3的正极端还电连接有电容C15，所述电容C15的另一端电连接航空插座TN。