[发明专利]一种三维垂直耦合光模式转换‑隔离复合器件在审
| 申请号： | 201710245776.3 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN106842422A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 孙小强;何国冰;张大明;王菲;姬兰婷;陈长鸣;衣云骥;王希斌 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/122;G02B6/14 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 刘世纯 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维垂直耦合光模式转换‑隔离复合器件及其制备方法，属于光通信技术领域，包括包层、上芯层波导及下芯层波导，包层覆盖上、下两芯层波导；包层、上芯层波导及下芯层波导的折射率分别为n、n1、n2，其中n1>n2>n；上、下芯层波导的截面尺寸相同，截面尺寸通过有效折射率法确定；上、下芯层波导呈X节垂直耦合结构，两芯层波导之间的最佳垂直距离以及角度通过光束传播法确定。本发明的器件不仅能够实现光在不同模式之间的转换，而且类似与电路中的二极管功能，能够实现光的单向导通；最大的隔离度大于58dB；在波长1550nm处模式转换的效率>99.9％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 垂直 耦合 模式 转换 隔离 复合 器件 | ||
【主权项】：
一种三维垂直耦合光模式转换‑隔离复合器件，其特征在于，包括包层、上芯层波导及下芯层波导，包层覆盖上、下两芯层波导，包层覆盖的厚度为0.5—1μm；包层、上芯层波导及下芯层波导的折射率分别为n、n1、n2，其中n1>n2>n；上、下芯层波导的截面尺寸相同，上、下芯层波导呈X节垂直耦合结构。
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