[发明专利]半导体级硅单晶炉底部加热器在审

专利信息
申请号: 201710245426.7 申请日: 2017-04-14
公开(公告)号: CN107059112A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 潘清跃;姜宏伟 申请(专利权)人: 南京晶能半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 江苏圣典律师事务所32237 代理人: 杨文晰,孙忠浩
地址: 210046 江苏省南京市经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种用于半导体级硅单晶炉的底部加热器,它由发热体、支撑柱、连接螺栓、支撑柱绝热子、垫片组成,其特征在于发热体采用对称式环形板状结构,其内外环均匀设置多道沟槽、圆孔;支撑柱装配于发热体两端设有的安装定位孔位处,并通过连接螺栓分别与发热体紧固连接;发热体与支撑柱之间、支撑柱底部分别设有垫片;支撑柱绝热子装配于支撑柱内孔中,通过与内部收紧止口咬合固定。其优点在于增大发热面积,提高温度场的均匀与稳定性;增加加热器的柔性,有助于抵抗高热负荷条件下的变形,延长其使用寿命;采用高纯度石墨、固化碳毡等材料,减少炉内污染,晶体纯度得以显著提高。
搜索关键词: 半导体 级硅单晶炉 底部 加热器
【主权项】:
一种半导体级硅单晶炉底部加热器,包括发热体、支撑柱、连接螺栓、支撑柱绝热子、垫片组成,其特征在于:发热体为环形板状结构,环形板状的内环和外缘包络线为凸起的加强筋,发热体的两个支撑点对称设在环形板状结构的直径上的安装孔,将环形板状结构分割成对称的半环,两个半环中均设有与半径重叠的应力缓冲槽,应力缓冲槽包括由内环指向外缘的应力缓冲槽和由外缘指向内环的应力缓冲槽,它们均匀分布且相间设置,其中由内环指向外缘的应力缓冲槽末端设有应力圆孔:与支撑点对应的支撑柱为空心圆柱结构,两端分别设有内螺纹,一端通过螺栓和垫片与发热体的安装孔连接,另一端通过螺栓和垫片与电极对接;支撑柱内孔中部设有收紧止口,支撑柱绝热子分别装配于支撑柱内孔中且位于两端内螺纹之间,支撑柱绝热子由内部收紧止口咬合固定。
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