[发明专利]半导体级硅单晶炉主加热器在审
申请号: | 201710245370.5 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN107059111A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 潘清跃;吴春生 | 申请(专利权)人: | 南京晶能半导体科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14;C30B29/06 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人: | 杨文晰,孙忠浩 |
地址: | 210046 江苏省南京市经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体级硅单晶炉的主加热器,包括主发热体、主加热器腿、辅助支撑柱和连接螺栓;其中,主发热体为筒状结构,其筒壁设有应力缓冲槽、应力圆孔、电接触安装面和辅助支撑安装面;两个主加热器均设置有定位台阶、定位销孔和三个连接螺栓孔并与电接触安装面紧固连接;支撑柱上设置有定位台阶、定位销孔和连接螺栓孔并与辅助支撑安装面紧固连接;两个主加热器腿分别主发热体的直流电源的阳极和阴极输入端;本发明主发热体可以有效吸收工作中产生的应力,定位可靠且支撑稳定,同时加热器采用高纯度石墨、固化碳毡和石墨纸等材料,减少了对炉内污染,提高了硅单晶的质量,此外本发明结构紧凑,使用寿命长,便于拆装和维修。 | ||
搜索关键词: | 半导体 级硅单晶炉主 加热器 | ||
【主权项】:
一种半导体级硅单晶炉的主加热器,包括主发热体、主加热器腿、辅助支撑柱和连接螺栓,其特征在于:主发热体为筒状结构,其筒壁设有由上而下的应力缓冲槽和由下而上的应力缓冲槽的应力缓冲槽,它们均匀分布且相间设置,各应力缓冲槽末端均设有应力圆孔,主发热体还对称设有电接触安装面和一对辅助支撑安装面,其中,一对电接触安装面相距180弧度,一对辅助支撑安装面相距180弧度,电接触安装面与相邻的辅助支撑安装面相距90弧度;两个主加热器腿上均设置有定位台阶、定位销孔和三个连接螺栓孔,它们通过定位台阶和定位销孔的定位销与主发热体的电接触安装面定位后,通过三个连接螺栓与电接触安装面紧固连接;两个圆柱形辅助支撑柱上均设置有定位台阶、定位销孔和一个连接螺栓孔,它们通过定位台阶和定位销孔的定位销与辅助支撑安装面定位后,通过一个连接螺栓与辅助支撑安装面紧固连接;两个主加热器腿分别主发热体的直流电源的阳极和阴极输入端。
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